功能描述：MOSFET N-CH 75V TO263-2

制造商：on semiconductor

系列：-

包装：带卷（TR）

零件状态：停產

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：75V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：100A（Ta）

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：-

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：220nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：12200pF @ 20V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：1.65W（Ta），90W（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：6 毫欧 @ 50A，10V

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：TO-263-2

封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

标准包装：800

2SK4065-DL-E

2SK4065-E

2SK4066-1E

2SK4066-DL-1E

2SK4066-DL-E

2SK4066-E

2SK4068-01

2SK4069

2SK4069-ZK

2SK4069-ZK-E1